还有一个难题，同样是目前10nm工艺芯片在量产遇到的。
当晶体管的尺寸缩小到一定程度（业内认为小于10nm）时会产生量子效应，这时晶体管的特性将很难控制，芯片的生产难度就会成倍增长。骁龙835出货时间推迟，X30遥遥无期主要原因可能是要攻克良品率的难关。
另外，骁龙835用上了10nm的制程工艺，设计制造成本相比14nm工艺增加接近5成。大厂需要持续而巨大的资金投入到10nm芯片量产的必经之路。
就目前阶段，三星已经尝试向当前的工艺路线图中添加8nm和6nm工艺技术，台积电方面则继续提供16nm FinFET技术的芯片，开始着力10nm工艺的同时，预计今年能够样产7nm工艺制程的芯片。
FinFET
除了制程，还有工艺技术。
在这一代骁龙835上，高通选择了和三星合作，使用三星最新的10nm FinFET工艺制造。同样，三星自家的下一代旗舰猎户座8895用的也是用此工艺。
FinFET是什么？
业界主流芯片还停留在20/22nm工艺节点上的时候，Intel就率先引入了3D FinFET这种技术。后来三星和台积电在14/16nm节点上也大范围用上了类似的FinFET技术。下面我们统称为FinFET。
FinFET（Fin Field-Effect Transistor）称为鳍式场效应晶体管，是一种新的晶体管，称为CMOS。具体一点就是把芯片内部平面的结构变成了3D，把栅极形状改制，增大接触面积，减少栅极宽度的同时降低漏电率，而晶体管空间利用率大大增加。
因为优势明显，目前已经被大规模应用到手机芯片上。
经历了14/16nm工艺节点后，FinFET也历经升级，但这种升级是存在瓶颈的。目前，大厂们正研究新的FD-SOI（全耗尽绝缘体硅）工艺、硅光子技术、3D堆叠技术等，斥资寻求技术突破，为日后7nm、甚至5nm工艺领先布局。
LPE/LPP/LPC/LPU又是什么？
在工艺分类上，芯片主要分两大类：
HP（High Performance）：主打高性能应用范畴；
LP（Low Power）：主打低功耗应用范畴。
满足不同客户需求，HP内部再细分HPL、HPC、HPC+、HP和HPM五种。
HP和LP之间最重要区别就在性能和漏电率上，HP在主打性能，漏电率能够控制在很低水平，芯片成本高；LP则更适合中低端处理器使用，因为成本低。
所以，芯片除了在制程上寻求突破，工艺上也会逐步升级。
2014年底，三星宣布了世界首个14nm FinFET 3D晶体管进入量产，标志着半导体晶体管进入3D时代。发展到今天，三星拥有了四代14nm工艺，第一代是苹果A9上面的FinFET LPE（Low Power Early），第二代则是用在猎户座8890、骁龙820和骁龙625上面的FinFET LPP（Low Power Plus）。第三代是FinFET LPC，第四代则是目前的FinFET LPU。至于10nm工艺，三星则更新到了第三代（LPE/LPP/LPC）。
