QLC（四层存储单元）
全称是Quad-Level Cell，四层式存储单元，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同时成本上相比TLC更低，优势就是可以将容量做的更大，成本上更低，劣势就是P/E寿命更短，理论擦写次数仅150次。
QLC、SLC、MLC、TLC颗粒对比
QLC颗粒为什么不好？
每一个Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但是同时会导致不同电压状态越多，并且越难控制，所以采用QLC颗粒的固态，虽然容量更大价格更便宜，但是稳定性较差，并且P/E寿命较低，速度最慢。
总结：
QLC NAND最大的优势就是在于成本更低，相同的成本下能够做出更大容量的SSD，容量将不再受到限制，1TB容量对于QLC颗粒来说，都是小意思，几十到上百TB才是主流，大容量固态硬盘时代开始了。但是对于P/E寿命和速度来说，这是QLC颗粒最大劣势之处，P/E寿命的公式是擦写次数*容量/每天擦写量/365，但是QLC颗粒的固态硬盘容量都很大，假设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘，每天擦写100G，也就是它的寿命=1024*100/100/365，约2.8年，还有这个最大写入次数也是理论上的，超出不一定就100%坏了，关键电脑不可能每天打开，也有休息的时候，加之每天不可能都擦写100G，所以它的寿命也是不用太担心的，等待固态硬盘坏了，整台电脑也淘汰了。
QLC颗粒相信不少用户会说是技术倒退，但是对于厂商来说，目前用户对存储容量需求随之提高，目前TLC和MLC颗粒大容量的固态硬盘价格偏贵，更低成本更大容量才是未来趋势，相信QLC颗粒会使得固态硬盘进入大容量廉价时代。
