2022年7月19日，在国际微波研讨会上，村田旗下专注于半导体集成技术pSemi Corporation两种新型毫米波集成电路（IC）已进入量产准备阶段，这两款IC适用于5G基站、5G点对点无线电通信应用中的客户端设备和有源天线系统。除8通道波束形成前端和双通道上下变频转换器外IC套片之外，pSemi为简化毫米波设计和开发提供完整的工具和专业技术支持包。新款RF SOI IC该套件是我们毫米波产品组合的最新成员，是业界最小的IC可提供套片n257、n258以及n260频段的完整IF（中频）至RF(射频)解决方案。
新款毫米波IC套片适用于5G基站、5G客户端设备，点对点无线电通信应用中的有源天线系统。
5G毫米波波束形成器和上下变频器IC套片
pSemi销售和营销副总裁Vikas Choudhary说：跟着n全球257频段成为5G主流频段，pSemi推出一系列毫米波产品和设计工具设计工具来支持市场对这一频段增长的需求。pSemi它在高频半导体创新和制造方面有着悠久的历史。它在毫米波解决方案领域有着深厚的专业知识，设施齐全，可以创造出值得客户和合作伙伴信赖的毫米波解决方案。”
波束形成器和上下变频器IC功能及优势
PE188200波束形成器IC（n257频段）和PE128300上下转换器IC（n257、n258频段有一系列功能和优势，可以是5G FR2系统设计师提供了极大的便利，其功能和优势包括：
每个通道最小设计尺寸——单片集成式RF SOI IC该行业规模最小，无需额外布线即可轻松构建大型阵列。
完整的IF至RF设计覆盖范围——多达四个上下变频转换器pSemi支持大规模波束形成器配对MIMO、混合波束形成和其他有源天线配置。
此外，PE188200 8通道波束形成器IC能够提供：
天线设计灵活——8通道波束形成器IC支持4个双极或8个单极天线单元和扩展配置，实现最佳阵列增益和等效全向辐射功率（EIRP）和天线方向性。
波束形成精度——所需EVM下的线性POUT具有低RMS相位和幅度误差可以提高阵列增益和天线方向，保证波束形成的准确性。
PE128300双通道上下变频转换器IC能够提供：
高度集成的解决方案——业内首款双通道上下变频转换器尺寸最精致小巧，可节省昂贵空间。
低功耗——行业内一流的上下变频转换器IC低功耗性能，支持更高效的系统散热管理。
最大限度地减少系统性——最佳I／Q平衡和最小本振泄漏有助于改善EVM性能。
完整的mm波控制软件
除样品和评估套件外（EVK）之外，pSemi还提供完整的支持包，包括软件工具和技术专业知识，帮助客户快速熟练地应用我们的波束形成器IC、上下变频转换器IC或两者阵列组合。
图形用户界面（GUI）——软件GUI为了实现高效的代码实现，可以保证寄存器编程的正确操作。
API集成——我们的GUI和API集成可以帮助您跨通道优化性能。嵌入客户特定代码pSemi有助于加快软件开发和演示。
综合用户手册——每个产品都提供全面的用户手册，包括寄存器编程要求和操作细节。
pSemi技术和质量优势
从样机到批量出货，pSemi毫米波支持包整合了公司近30年积累的高频半导体专业知识，具有提供高性能、高集成、高可靠性支持的优势。
RF SOI创新——基于30多年的射频集成电路（RFIC）在经验丰富的技术专家的支持下，设计创新可以实现行业最小外观尺寸的最高集成。
专利和知识产权——作为RF SOI拥有1000多项专利的技术发明者，致力于促进高频半导体器件性能的发展。
质量和可制造性——村田公司是业内信赖的供应商，在满足最高可靠性和质量标准的大批量制造方面有着成熟的经验。
